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氮化硅LPCVD流片（XF-WSBX-2500183）采購公告

基本信息

信息類型：采購公告

區域：浙江

源發布時間：2025-05-23

項目名稱：******[查看]

項目編號：******[查看]

招標單位：******[查看]

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采購產品名稱

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無錫景蘭自動化設備有限公司

西門子,G120,G120C,S120,CU,PLC模塊,電阻,電抗器變頻器,驅動器

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力達塑膠（東莞）有限公司

ABS,PP,PC,ABS,LDPE,HDPE,PC,COC,POE,EVA,尼龍,GPPS

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項目名稱	氮化硅LPCVD流片	項目編號	XF-WSBX-******
公示開始日期	2025-05-23 15:58:58	公示截止日期	2025-05-30 17:00:00
采購單位	******大學	付款方式	貨到付款，甲方在到貨驗收后15日內向乙方一次性支付本項目的總額
聯系人	中標后在我參與的項目中查看	聯系電話	中標后在我參與的項目中查看
簽約時間要求	成交后3個工作日內	到貨時間要求
預算	￥?360,000
供應商資質要求	符合《政府采購法》第二十二條規定的供應商基本條件
收貨地址

采購清單1

采購物品	是否允許進口	采購數量	計量單位	所屬分類
氮化硅LPCVD流片	否	6	張	電子、通信與自動控制技術研究服務

品牌
規格型號
預算	￥?60,000
技術參數	1. LPCVD Si3N4厚度400 nm，退火后最小CD：200 nm，最小gap：250 nm。CD線寬控制：200±20 nm；Si3N4側壁角度：＞86°。 2. 在400 nm Si3N4上進行刻蝕，刻蝕深度200 nm，套刻精度：70 nm。Slab 厚度：200±15 nm，Si3N4厚度：400±20 nm 3. Si3N4上進行SiO2填充，≥250 nm的gap需要保證SiO2填充完整。 4. TiN方塊電阻中心和邊緣的均值：13.5ohm/sq。最小CD：2μm 。 5. Si3N4單模波導（1μm寬度）傳輸損耗：≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。 6. 端面耦合（c波段，MFD_2p5μm）：TE：loss＜2dB/facet，TM：loss＜2.1dB/facet。 7. 1*2MMI（c波段）：損耗≈0.2dB ，不平衡度＜0.1dB。 8. crossing（c波段）：損耗≈0.2dB。
售后服務	電話支持: 5x8小時;服務時限:報修后48小時;商品承諾:原廠全新未拆封正品;