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氮化硅LPCVD流片(XF-WSBX-2500183)采購公告

氮化硅LPCVD流片(XF-WSBX-2500183)采購公告

基本信息
信息類型:采購公告
區域:浙江
源發布時間:2025-05-23
項目名稱:******[查看]
項目編號:******[查看]
招標單位:******[查看]
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采購產品名稱
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西門子,G120,G120C,S120,CU,PLC模塊,電阻,電抗器變頻器,驅動器
李工

ABS,PP,PC,ABS,LDPE,HDPE,PC,COC,POE,EVA,尼龍,GPPS
茍小琴

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項目名稱 氮化硅LPCVD流片 項目編號 XF-WSBX-******
公示開始日期 2025-05-23 15:58:58 公示截止日期 2025-05-30 17:00:00
采購單位 ******大學 付款方式 貨到付款,甲方在到貨驗收后15日內向乙方一次性支付本項目的總額
聯系人 中標后在我參與的項目中查看 聯系電話 中標后在我參與的項目中查看
簽約時間要求 成交后3個工作日內 到貨時間要求
預算 ?360,000
供應商資質要求

符合《政府采購法》第二十二條規定的供應商基本條件

收貨地址
采購清單1
采購物品 是否允許進口 采購數量 計量單位 所屬分類
氮化硅LPCVD流片 6 電子、通信與自動控制技術研究服務
品牌
規格型號
預算 ?60,000
技術參數 1. LPCVD Si3N4厚度400 nm,退火后最小CD:200 nm,最小gap:250 nm。CD線寬控制:200±20 nm;Si3N4側壁角度:>86°。
2. 在400 nm Si3N4上進行刻蝕,刻蝕深度200 nm,套刻精度:70 nm。Slab 厚度:200±15 nm,Si3N4厚度:400±20 nm
3. Si3N4上進行SiO2填充,≥250 nm的gap需要保證SiO2填充完整。
4. TiN方塊電阻中心和邊緣的均值:13.5ohm/sq。最小CD:2μm 。
5. Si3N4單模波導(1μm寬度)傳輸損耗:≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。
6. 端面耦合(c波段,MFD_2p5μm):TE:loss<2dB/facet,TM:loss<2.1dB/facet。
7. 1*2MMI(c波段):損耗≈0.2dB ,不平衡度<0.1dB。
8. crossing(c波段):損耗≈0.2dB。
售后服務 電話支持: 5x8小時;服務時限:報修后48小時;商品承諾:原廠全新未拆封正品;


******大學


2025-05-23 15:58:58

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