項目名稱 | 氮化硅LPCVD流片 | 項目編號 | XF-WSBX-****** |
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公示開始日期 | 2025-05-23 15:58:58 | 公示截止日期 | 2025-05-30 17:00:00 |
采購單位 | ******大學 | 付款方式 | 貨到付款,甲方在到貨驗收后15日內向乙方一次性支付本項目的總額 |
聯系人 | 中標后在我參與的項目中查看 | 聯系電話 | 中標后在我參與的項目中查看 |
簽約時間要求 | 成交后3個工作日內 | 到貨時間要求 | |
預算 | ¥?360,000 | ||
供應商資質要求 |
符合《政府采購法》第二十二條規定的供應商基本條件
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收貨地址 |
采購清單1
采購物品 | 是否允許進口 | 采購數量 | 計量單位 | 所屬分類 |
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氮化硅LPCVD流片 | 否 | 6 | 張 | 電子、通信與自動控制技術研究服務 |
品牌 | |||
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規格型號 | |||
預算 | ¥?60,000 | ||
技術參數 | 1. LPCVD Si3N4厚度400 nm,退火后最小CD:200 nm,最小gap:250 nm。CD線寬控制:200±20 nm;Si3N4側壁角度:>86°。 2. 在400 nm Si3N4上進行刻蝕,刻蝕深度200 nm,套刻精度:70 nm。Slab 厚度:200±15 nm,Si3N4厚度:400±20 nm 3. Si3N4上進行SiO2填充,≥250 nm的gap需要保證SiO2填充完整。 4. TiN方塊電阻中心和邊緣的均值:13.5ohm/sq。最小CD:2μm 。 5. Si3N4單模波導(1μm寬度)傳輸損耗:≈0.2dB/cm(@1550nm) ≈0.2dB/cm(@1310nm)。 6. 端面耦合(c波段,MFD_2p5μm):TE:loss<2dB/facet,TM:loss<2.1dB/facet。 7. 1*2MMI(c波段):損耗≈0.2dB ,不平衡度<0.1dB。 8. crossing(c波段):損耗≈0.2dB。 |
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售后服務 | 電話支持: 5x8小時;服務時限:報修后48小時;商品承諾:原廠全新未拆封正品; |
******大學
2025-05-23 15:58:58